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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
66
En -187% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2414
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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