RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En -144% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.4
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
18.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3826
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link