RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3826
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link