RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
96
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3169
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link