RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
96
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3169
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link