RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
96
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3169
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link