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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,285.0
1,905.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
68
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
68
50
Velocidad de lectura, GB/s
4,165.3
5,143.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,285.0
1,905.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
855
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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