RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3798
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link