RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
16.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3651
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link