Comparación de la memoria RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 30

En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.1 11.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.1 9.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

16800 12800

En 1.31 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Inmos + 256MB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2764 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns