RAM-Vergleich Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 30

Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.1 11.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 9.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

16800 12800

Rund um 1.31 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Inmos + 256MB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2764 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns