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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
12800
Rund um 1.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
16800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2318
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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