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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
16800
12800
左右 1.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
11.5
写入速度,GB/s
10.1
9.1
内存带宽,mbps
12800
16800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2764
2318
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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