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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
10.6
16.8
写入速度,GB/s
9.0
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3147
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
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