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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
24
读取速度,GB/s
11.7
15.1
写入速度,GB/s
7.2
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3045
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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