RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3045
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link