RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3045
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link