RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3589
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link