Comparação RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 30

Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.1 11.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.1 9.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Inmos + 256MB

Maior largura de banda de memória, mbps

16800 12800

Por volta de 1.31 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Inmos + 256MB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2764 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns