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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
65
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
65
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1921
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
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