RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
41
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2159
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link