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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
41
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2159
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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