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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
54
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
54
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2583
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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