Comparación de la memoria RAM A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Puntuación global

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 16

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,061.2 12.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

37 46

En -24% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 6400

En 3 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

759 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns