A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Puntuación global
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 14.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,061.2 left arrow 11.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 46
    En -64% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,937.3 left arrow 14.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,061.2 left arrow 11.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    759 left arrow 2481
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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