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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
11.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
46
周辺 -64% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
28
読み出し速度、GB/s
4,937.3
14.3
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
11.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2481
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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