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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
122
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
122
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1411
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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