RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
122
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
122
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1411
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link