RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2388
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston TSB1333D3S9SR8/2G 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link