RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
46
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2522
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link