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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
46
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2359
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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