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Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Puntuación global
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
12.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2075
1511
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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