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Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Note globale
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2075
1511
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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