RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2708
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link