RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2708
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link