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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
46
En -5% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
44
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3146
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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