RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link