RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link