RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2672
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link