RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
46
Autour de -31% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2672
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link