RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2266
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link