RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2266
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link