RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
60
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.4
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.2
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
60
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
6.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1400
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link