RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2336
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lenovo 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link