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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En -35% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2201
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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