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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En -24% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3419
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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