RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
53
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2333
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link