RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
53
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2333
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link