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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2389
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
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