RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3004
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link