RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2489
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link