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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Compara
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2402
2148
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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